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    XRD應用分享 | 單晶外延薄膜91香蕉视频APP免费下载XRD表征

    瀏覽次數:129發布日期:2024-01-10

    91香蕉视频APP免费下载率 X 射線衍射 (HRXRD) 是一種強大的無損檢測方法,其研究對象主要是單晶材料、單晶外延薄膜材料以及各種低維半導體異質結構。普遍用於單晶質量、外延薄膜的厚度、組分、晶胞參數、缺陷、失配、弛豫、應力等結構參數的測試。現代HRXRD與常規XRD的區別主要體現在:(1)高度平行且高度單色的高質量香蕉污视频下载;(2)不僅要測試倒易格點的位置(角度),還要測試倒易格點的形狀(缺陷);(3)更高的理論要求-動力學理論。GaN做第三代半導體,目前用於電力電子、高頻器件和發光二極管 (LED) 技術等眾多應用中。本報告介紹了HRXRD在GaN LED樣品中的應用。樣品由 6 層InGaN/GaN 量子阱 (QW) 組成,虛擬 GaN 襯底上生長在 2 英寸藍寶石晶片上。文中樣品測試是在德國布魯克D8 ADVANCE 香蕉污视频下载衍射儀上完成的,該儀器配置了HRXRD模塊。

    2theta/omega掃描

    2theta/omega掃描用於探測平行於表麵的原子層的相幹散射,可用於確定In的組分,麵外晶胞參數、厚度等參數。

    測試采用Ge(004)單色器,林克斯探測器0D模式。圖 1 顯示了 GaN (0002) 晶麵的 2theta/omega 掃描圖譜,可見明顯的超晶格蕩峰以及超晶格峰之間的薄膜幹涉條紋。

    圖 1 GaN (0002) 晶麵的 2theta/omega掃描圖譜。

    倒空間強度分布(RSM)

    RSM是直觀的分析薄膜與襯底失配關係以及薄膜缺陷的方法。傳統的HRXRD上收集一張RSM需要幾個甚至幾十個小時。現實中往往由於機時的限製,很難得到RSM。現代HRXRD利用1D探測器可以極大提高了測試速度,快采集一張RSM隻需要幾十秒。圖2中,展示了GaN (11-24)晶麵的RSM,測試時間為30min。 

    圖2 GaN(11-24) 晶麵的倒空間強度分布圖(RSM)

    圖2中,RSM 中所有倒格點在麵內((110)方向)方向在同一位置,表明量子阱多層膜InGaN是在 GaN 襯底上共格晶生長的。 這與GaN (0002) 晶麵高質量2theta/omega掃描一致。同時,RSM中GaN倒格點形沿著麵內展寬,說明界麵處缺陷較多。而每個超晶格倒格點無明顯展寬,說明超晶格之間缺陷較少。 

    2theta/omega 圖譜擬合結果 

    圖3 GaN (0002) 2theta/omega掃描擬合圖譜。藍色:擬合值;黑色:測試值。

    圖3中是 基於表1中的結構模型,對2theta/omega掃麵進行全譜擬合的結果。可見擬合圖譜與測試數據吻合非常好。超晶格峰與擬合值之間的微小偏差可能是由采用的擬合模型未考慮In組分的變化。InGaN 層中的超晶格厚度和In含量都可以非常精確地確定。In的含量是生長過程中的一個重要參數。 因此,HRXRD 是監控沉積過程的有力工具。

    表1 GaN (0002) 2theta/omega掃描擬合模型及結果

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