包括一個額外的電阻率測量選項。測量矽的電阻率，可用於沒有高度調節可能性的晶圓，或晶磚。必須預先定義這兩個選項中的一個。

MDPspot少子壽命測試儀特點：        

◇  無接觸無破壞的電學半導體特性        

◇  包括μ-PCD測量選項        

◇  對迄今為止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有先進的靈敏度        

◇  集成多達四個激光器，用於寬的注入水平範圍

◇  獲取單次瞬變的原始數據以及用於特殊評估目的的地圖        

技術規格:  

MDPspot少子壽命測試儀優點：        

◇  台式裝置，用於載流子壽命的單點測量，多晶矽或單晶矽在不同的製備階段，從原生材料到器件。        

◇  體積小，成本低，使用方便。附帶一個基本的軟件，用於在小型PC或筆記本上進行結果可視化。        

◇  適用於矽片到磚，操作高度調節方便。

細節：        

◇  允許單晶圓片調查        

◇  不同的晶圓級有不同的配方        

◇  監控物料、工藝質量和穩定性      

附加選項：

◇  光斑大小變化

◇  電阻率測量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測量(MDP)

◇  軟件擴展

◇  額外的激光器選配